삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

 

 

 

삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

 

 

 

삼성 전자는 3D V NAND에 대한 수요 증가에 대응하여 중국의 시안 반도체사업장에 

두 번째 라인을 건설 할 예정이라고 합니다.
삼성은 중국과 같은 경쟁 업체의 추격을 따돌리기 위해 이와같이 선진 기술에 선제 투자 할 계획이라고 합니다.
28 일 삼성 전자는 중국 산시겅 시안시에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 개최했습니다.

삼성 전자는 작년 8 월에도 서안 지방 정부와  시안 반도체 2 단계 투자를위한 양해 각서 (MOU)를 체결하고

향후 3 년간 총 70 억 달러를 투자했습니다.
이것은 NAND 플래시를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 대응하기 위한 것이라고 합니다.

 

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