삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공 삼성 전자는 3D V NAND에 대한 수요 증가에 대응하여 중국의 시안 반도체사업장에 두 번째 라인을 건설 할 예정이라고 합니다. 삼성은 중국과 같은 경쟁 업체의 추격을 따돌리기 위해 이와같이 선진 기술에 선제 투자 할 계획이라고 합니다. 28 일 삼성 전자는 중국 산시겅 시안시에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 개최했습니다. 삼성 전자는 작년 8 월에도 서안 지방 정부와 시안 반도체 2 단계 투자를위한 양해 각서 (MOU)를 체결하고 향후 3 년간 총 70 억 달러를 투자했습니다. 이것은 NAND 플래시를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 대응하기 위한 것이라고 합니다. 삼성전자, 중국 반도체공장 2기 라인 착공에 관한 더 자세한 내용은..

2018.03.28